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66116

66116

참조 용

부품 번호 66116
PNEDA 부품 번호 66116
설명 RF POWER TRANSISTOR
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,344
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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66116 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호66116
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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66116 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
주파수-전환-
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
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1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

이득

13.5dB ~ 15dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 2.7V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SC-70-3

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

6V

주파수-전환

12GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

이득

13.5dB

전력-최대

205mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

75 @ 30mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-343F

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SOT-343F

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

9GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 1.7dB @ 9MHz

이득

-

전력-최대

500mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 40mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120mA

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323-3

0910-150M

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

주파수-전환

890MHz ~ 1GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

8.1dB ~ 8.5dB

전력-최대

400W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

55KT

공급자 장치 패키지

55KT

AT-30511-TR2G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5.5V

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz

이득

14dB ~ 16dB

전력-최대

100mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 2.7V

전류-수집기 (Ic) (최대)

8mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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SOT-143

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