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6A10B-G

6A10B-G

참조 용

부품 번호 6A10B-G
PNEDA 부품 번호 6A10B-G
설명 DIODE GEN PURP 1KV 6A R6
제조업체 Comchip Technology
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재고 있음 2,988
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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6A10B-G 리소스

브랜드 Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호6A10B-G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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6A10B-G 사양

제조업체Comchip Technology
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1000V
전류-평균 정류 (Io)6A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 6A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F100pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스R6, Axial
공급자 장치 패키지R-6
작동 온도-접합-55°C ~ 125°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

790mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Powerex Inc.

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-

다이오드 유형

Standard, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

250A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 800A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

11µs

전류-역방향 누설 @ Vr

50mA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

DO-205AB, DO-9

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

2.9A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 7A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2.6µs

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

76pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

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전류-평균 정류 (Io)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.3V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

40ns

전류-역방향 누설 @ Vr

40µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

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