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6MS16017P43W40383NOSA1

6MS16017P43W40383NOSA1

참조 용

부품 번호 6MS16017P43W40383NOSA1
PNEDA 부품 번호 6MS16017P43W40383NOSA1
설명 IGBT MODULE 690V 880A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,208
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6MS16017P43W40383NOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호6MS16017P43W40383NOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
6MS16017P43W40383NOSA1, 6MS16017P43W40383NOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 1,231.85 KB)
PDF6MS16017P43W40383NOSA1 데이터 시트 표지
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6MS16017P43W40383NOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1700V
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전력-최대-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce-
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-25°C ~ 55°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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전력-최대

176W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

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장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

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Microsemi

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Microsemi Corporation

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

140A

전력-최대

480W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7.2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

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SP4

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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제조업체

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시리즈

-

IGBT 유형

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구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

140A

전력-최대

450W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 100A (Typ)

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전력-최대

140W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

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