6N139W
참조 용
| 부품 번호 | 6N139W |
| PNEDA 부품 번호 | 6N139W |
| 설명 | OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8DIP |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,286 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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6N139W 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 6N139W |
| 분류 | 반도체 › 절연체 › 광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 |
| 데이터 시트 |
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6N139W 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 채널 수 | 1 |
| 전압-절연 | 2500Vrms |
| 전류 전송 비율 (최소) | 500% @ 1.6mA |
| 전류 전송 비율 (최대) | - |
| 켜기 / 끄기 시간 (일반) | 1.5µs, 7µs |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | - |
| 입력 유형 | DC |
| 출력 유형 | Darlington with Base |
| 전압-출력 (최대) | 18V |
| 전류-출력 / 채널 | 60mA |
| 전압-순방향 (Vf) (통상) | 1.3V |
| 전류-DC 순방향 (If) (최대) | 20mA |
| Vce 포화 (최대) | - |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | 8-DIP (0.400", 10.16mm) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-DIP |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 채널 수 1 전압-절연 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소) 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대) 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반) 7µs, 7µs 상승 / 하강 시간 (일반) 4µs, 7µs 입력 유형 DC 출력 유형 Transistor 전압-출력 (최대) 80V 전류-출력 / 채널 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상) 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대) 50mA Vce 포화 (최대) 300mV 작동 온도 -55°C ~ 110°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) 공급자 장치 패키지 4-SO |
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