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70T3589S166BF8

70T3589S166BF8

참조 용

부품 번호 70T3589S166BF8
PNEDA 부품 번호 70T3589S166BF8
설명 IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA
제조업체 IDT, Integrated Device Technology
단가 견적 요청
재고 있음 8,226
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 8 - 11월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

70T3589S166BF8 리소스

브랜드 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호70T3589S166BF8
분류반도체메모리 IC기억

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70T3589S166BF8 사양

제조업체IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간3.6ns
전압-공급2.4V ~ 2.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스208-LFBGA
공급자 장치 패키지208-CABGA (15x15)

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

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메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

33MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

300µs

접근 시간

-

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (13.97x11.43)

FM24W256-G

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

F-RAM™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FRAM

기술

FRAM (Ferroelectric RAM)

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

550ns

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IS61NLF102418-6.5B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

6.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-TFBGA (13x15)

AS4C64M32MD2-25BCN

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR2

메모리 크기

2Gb (64M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.95V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

134-VFBGA

공급자 장치 패키지

134-FBGA (10x11.5)

CY7C1423KV18-250BZC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II

메모리 크기

36Mb (2M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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165-FBGA (13x15)

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