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71V67803S133BGG8

71V67803S133BGG8

참조 용

부품 번호 71V67803S133BGG8
PNEDA 부품 번호 71V67803S133BGG8
설명 IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
제조업체 IDT, Integrated Device Technology
단가 견적 요청
재고 있음 2,412
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 9 - 11월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

71V67803S133BGG8 리소스

브랜드 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호71V67803S133BGG8
분류반도체메모리 IC기억

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71V67803S133BGG8 사양

제조업체IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기9Mb (512K x 18)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간4.2ns
전압-공급3.135V ~ 3.465V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스119-BGA
공급자 장치 패키지119-PBGA (14x22)

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제조업체

Micron Technology Inc.

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

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기술

SDRAM - DDR4

메모리 크기

16Gb (4G x 4)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.333GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.26V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

S25FL512SDPBHV310

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Mb (64M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

66MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-BGA (6x8)

MT29F64G08AMABAC5:B

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

64Gb (8G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

52-VLGA

공급자 장치 패키지

52-VLGA (18x14)

STK17T88-RF45I

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

48-SSOP

S29CD016J0JFAM010

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

CD-J

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

16Mb (512K x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

40MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

54ns

전압-공급

1.65V ~ 2.75V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

80-LBGA

공급자 장치 패키지

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