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76016S

76016S

참조 용

부품 번호 76016S
PNEDA 부품 번호 76016S
설명 RF POWER TRANSISTOR
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,416
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 21 - 6월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

76016S 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호76016S
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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76016S 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
주파수-전환-
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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이득

7.5dB

전력-최대

125mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-523

공급자 장치 패키지

SOT-523

BFP 640 H6433

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

4.5V

주파수-전환

40GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

이득

24dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

110 @ 30mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

PG-SOT343-4

AT-42085G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

8GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

2dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz

이득

9.5dB ~ 13.5dB

전력-최대

500mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 35mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD (85 Plastic)

공급자 장치 패키지

85 Plastic

61045

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

JANTX2N2857

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/343

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

500MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

4.5dB @ 450MHz

이득

12.5dB ~ 21dB @ 450MHz

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 3mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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