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80262

80262

참조 용

부품 번호 80262
PNEDA 부품 번호 80262
설명 RF POWER TRANSISTOR
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,436
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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80262 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호80262
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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80262 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
주파수-전환-
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
작동 온도-
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DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 7mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

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작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Toshiba Semiconductor and Storage

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

주파수-전환

10GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

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이득

1.4dB

전력-최대

100mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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노이즈 지수 (dB Typ @ f)

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이득

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전력-최대

580mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

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NE67839-A

CEL

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

6V

주파수-전환

12GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

이득

10dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

75 @ 30mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

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