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80EPF12

80EPF12

참조 용

부품 번호 80EPF12
PNEDA 부품 번호 80EPF12
설명 DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 2,412
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

80EPF12 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호80EPF12
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
80EPF12, 80EPF12 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 193.6 KB)
PDF80EPF12 데이터 시트 표지
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80EPF12 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1200V
전류-평균 정류 (Io)80A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.35V @ 80A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)480ns
전류-역방향 누설 @ Vr100µA @ 1200V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AC
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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ON Semiconductor

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.15V @ 2A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

30pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

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SMC Diode Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

650mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

400pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

EGP10DHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

SUPERECTIFIER®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

22pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

FR605-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 40V

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

250ns

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

150pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

R6, Axial

공급자 장치 패키지

R-6

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

BAT30F3

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

560mV @ 300mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

6µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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