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8EWF10STRL

8EWF10STRL

참조 용

부품 번호 8EWF10STRL
PNEDA 부품 번호 8EWF10STRL
설명 DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 8,586
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 27 - 5월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

8EWF10STRL 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호8EWF10STRL
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
8EWF10STRL, 8EWF10STRL 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 156.88 KB)
PDF8EWF12STR 데이터 시트 표지
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8EWF10STRL 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1000V
전류-평균 정류 (Io)8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.3V @ 8A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)270ns
전류-역방향 누설 @ Vr100µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지D-PAK (TO-252AA)
작동 온도-접합-40°C ~ 150°C

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다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Pluggable into DIN Rail Base

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

작동 온도-접합

-

FR6A05

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제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

16A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 6A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AA, DO-4, Stud

공급자 장치 패키지

DO-4

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

AU2PM-M3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1.3A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.5V @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

29pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-277, 3-PowerDFN

공급자 장치 패키지

TO-277A (SMPC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

SX110H060S4PU

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

15A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

6.8V @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

60µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

APT100S20BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

120A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 100A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

70ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2mA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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