A2G22S160-01SR3
참조 용
| 부품 번호 | A2G22S160-01SR3 |
| PNEDA 부품 번호 | A2G22S160-01SR3 |
| 설명 | IC TRANS RF LDMOS |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,766 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 9 - 4월 14 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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A2G22S160-01SR3 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | A2G22S160-01SR3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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A2G22S160-01SR3 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | - |
| 주파수 | 2.11GHz |
| 이득 | 19.6dB |
| 전압-테스트 | 48V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 150mA |
| 전원-출력 | 32W |
| 전압-정격 | 125V |
| 패키지 / 케이스 | NI-400S-2S |
| 공급자 장치 패키지 | NI-400S-2S |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 857MHz ~ 863MHz 이득 17dB 전압-테스트 32V 전류 정격 (Amps) 17A 소음 수치 - 현재-테스트 800mA 전원-출력 180W 전압-정격 68V 패키지 / 케이스 NI-860C3 공급자 장치 패키지 NI-860C3 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 230MHz 이득 27dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 300W 전압-정격 133V 패키지 / 케이스 TO-270-4 공급자 장치 패키지 TO-270 WB-4 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.68GHz 이득 14dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 10µA 소음 수치 - 현재-테스트 900mA 전원-출력 85W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지 H-30248-2 |
제조업체 M/A-Com Technology Solutions 시리즈 - 트랜지스터 유형 HEMT 주파수 1.2GHz ~ 1.4GHz 이득 19.5dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) 27A 소음 수치 - 현재-테스트 500mA 전원-출력 500W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 746MHz ~ 821MHz 이득 20.5dB 전압-테스트 48V 전류 정격 (Amps) 10µA 소음 수치 - 현재-테스트 900mA 전원-출력 225W 전압-정격 105V 패키지 / 케이스 HBSOF-4-1 공급자 장치 패키지 PG-HBSOF-4-1 |
