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A2T14H450-23NR6

A2T14H450-23NR6

참조 용

부품 번호 A2T14H450-23NR6
PNEDA 부품 번호 A2T14H450-23NR6
설명 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,526
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 20 - 6월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

A2T14H450-23NR6 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호A2T14H450-23NR6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
A2T14H450-23NR6, A2T14H450-23NR6 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 597.09 KB)
PDFA2T14H450-23NR6 데이터 시트 표지
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A2T14H450-23NR6 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.452GHz ~ 1.511GHz
이득18.8dB
전압-테스트31V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트1A
전원-출력-
전압-정격65V
패키지 / 케이스OM-1230-4L2S
공급자 장치 패키지OM-1230-4L2S

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주파수

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이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

55W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-36265-2

공급자 장치 패키지

H-36265-2

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제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

1.03GHz ~ 1.09GHz

이득

21.3dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

82A

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

600W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

J310_D27Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

450MHz

이득

12dB

전압-테스트

10V

전류 정격 (Amps)

60mA

소음 수치

3dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

3.4GHz ~ 3.6GHz

이득

14dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

8W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-400-240

공급자 장치 패키지

NI-400-240

PTFA191001F V4 R250

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.96GHz

이득

17dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

44dBm

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37248-2

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