A2T18S262W12NR3
참조 용
| 부품 번호 | A2T18S262W12NR3 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | A2T18S262W12NR3 | ||||||||||||||||||
| 설명 | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | NXP | ||||||||||||||||||
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| 재고 있음 | 5,366 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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A2T18S262W12NR3 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | A2T18S262W12NR3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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A2T18S262W12NR3 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| 이득 | 19.3dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | 10µA |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 1.6A |
| 전원-출력 | 231W |
| 전압-정격 | 65V |
| 패키지 / 케이스 | OM-880X-2L2L |
| 공급자 장치 패키지 | OM-880X-2L2L |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual), Common Source 주파수 1.81GHz ~ 1.88GHz 이득 18dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.6A 전원-출력 240W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT1275-3 공급자 장치 패키지 DFM6 |
제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.47GHz ~ 1.51GHz 이득 19.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 56A 소음 수치 - 현재-테스트 1.6A 전원-출력 50W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT-502B 공급자 장치 패키지 SOT502B |
제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 GaN 트랜지스터 유형 HEMT 주파수 0Hz ~ 3GHz 이득 11dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) 8.7A 소음 수치 - 현재-테스트 600mA 전원-출력 116W 전압-정격 125V 패키지 / 케이스 440193 공급자 장치 패키지 440193 |
제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual), Common Source 주파수 860MHz 이득 21dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 650mA 전원-출력 150W 전압-정격 104V 패키지 / 케이스 SOT-1121A 공급자 장치 패키지 LDMOST |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.96GHz 이득 16dB 전압-테스트 30V 전류 정격 (Amps) 10µA 소음 수치 - 현재-테스트 1.6A 전원-출력 50W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지 H-36260-2 |
