A2T20H330W24NR6
참조 용
| 부품 번호 | A2T20H330W24NR6 |
| PNEDA 부품 번호 | A2T20H330W24NR6 |
| 설명 | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,100 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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A2T20H330W24NR6 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | A2T20H330W24NR6 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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A2T20H330W24NR6 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 1.88GHz ~ 2.025GHz |
| 이득 | 15.9dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | 10µA |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 700mA |
| 전원-출력 | 229W |
| 전압-정격 | 65V |
| 패키지 / 케이스 | OM-1230-4L2L |
| 공급자 장치 패키지 | OM-1230-4L2L |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 - 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220AB |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel JFET 주파수 100MHz 이득 - 전압-테스트 10V 전류 정격 (Amps) 30mA 소음 수치 1.5dB 현재-테스트 5mA 전원-출력 - 전압-정격 20V 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 TO-236AB (SOT23) |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.93GHz 이득 16dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 610mA 전원-출력 12W 전압-정격 68V 패키지 / 케이스 TO-272BB 공급자 장치 패키지 TO-272 WB-4 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel JFET 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) 18mA 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 30V 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel JFET 주파수 400MHz 이득 - 전압-테스트 15V 전류 정격 (Amps) 20mA 소음 수치 4dB 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 25V 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
