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A2T21S160-12SR3

A2T21S160-12SR3

참조 용

부품 번호 A2T21S160-12SR3
PNEDA 부품 번호 A2T21S160-12SR3
설명 IC TRANS RF LDMOS
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,240
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

A2T21S160-12SR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호A2T21S160-12SR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
A2T21S160-12SR3, A2T21S160-12SR3 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 456.1 KB)
PDFA2T21S160-12SR3 데이터 시트 표지
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A2T21S160-12SR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.17GHz
이득18.4dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트600mA
전원-출력38W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-780-2S2L
공급자 장치 패키지NI-780-2S2L

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시리즈

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이득

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

60mA

전원-출력

6W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1212-2

공급자 장치 패키지

16-HSOP

BLF6G20-45,135

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.8GHz ~ 1.88GHz

이득

19.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

13A

소음 수치

-

현재-테스트

360mA

전원-출력

2.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-608A

공급자 장치 패키지

CDFM2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

10mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

3V

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

512MHz

이득

25.4dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

10mA

전원-출력

25W

전압-정격

133V

패키지 / 케이스

TO-270AA

공급자 장치 패키지

TO-270-2

BLF988,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

860MHz

이득

20.8dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

250W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

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