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A2T27S020NR1

A2T27S020NR1

참조 용

부품 번호 A2T27S020NR1
PNEDA 부품 번호 A2T27S020NR1
설명 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,752
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 16 - 6월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

A2T27S020NR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호A2T27S020NR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
A2T27S020NR1, A2T27S020NR1 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 492.18 KB)
PDFA2T27S020NR1 데이터 시트 표지
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A2T27S020NR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수400MHz ~ 2.7GHz
이득21dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트185mA
전원-출력20W
전압-정격65V
패키지 / 케이스TO-270-2
공급자 장치 패키지TO-270-2

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NXP USA Inc.

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소음 수치

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현재-테스트

10mA

전원-출력

25W

전압-정격

133V

패키지 / 케이스

TO-270BA

공급자 장치 패키지

TO-270-2 GULL

2N5952_D75Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

1kHz

이득

-

전압-테스트

15V

전류 정격 (Amps)

8mA

소음 수치

2dB

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

960MHz

이득

16.8dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

750mA

전원-출력

63W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

NI-780-4

공급자 장치 패키지

NI-780-4

NPT2021

M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

0Hz ~ 2.2GHz

이득

15dB

전압-테스트

48V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

50W

전압-정격

160V

패키지 / 케이스

TO-272BC

공급자 장치 패키지

TO-272-2

PXAC243502FV-V1-R250

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.4GHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

850mA

전원-출력

68W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-37275-4

공급자 장치 패키지

H-37275-4

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