ACGRAT105L-HF
참조 용
| 부품 번호 | ACGRAT105L-HF |
| PNEDA 부품 번호 | ACGRAT105L-HF |
| 설명 | DIODE GEN PURP 1KV 1A 2010 |
| 제조업체 | Comchip Technology |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 88,758 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 30 - 1월 4 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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ACGRAT105L-HF 리소스
| 브랜드 | Comchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | ACGRAT105L-HF |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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ACGRAT105L-HF 사양
| 제조업체 | Comchip Technology |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 1000V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 1A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 930mV @ 1A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 5µA @ 1000V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 8.2pF @ 4V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 2010 (5025 Metric) |
| 공급자 장치 패키지 | 2010 |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Semtech Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr 500nA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F 23pF @ 5V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 Axial 공급자 장치 패키지 Axial 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 3V @ 8A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 17ns 전류-역방향 누설 @ Vr 50µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지 D-PAK (TO-252AA) 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 FRED Pt® 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 970mV @ 8A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 24ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지 D-PAK (TO-252AA) 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Powerex Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 3400V 전류-평균 정류 (Io) 2500A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.25V @ 3000A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 25µs 전류-역방향 누설 @ Vr 200mA @ 3400V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 DO-200AD 공급자 장치 패키지 Pow-R-Disc 작동 온도-접합 - |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 40V 전류-평균 정류 (Io) 3.5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 530mV @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 2mA @ 40V 커패시턴스 @ Vr, F 189pF @ 5V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지 D-PAK (TO-252AA) 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
