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ADP3410KRU-REEL7

ADP3410KRU-REEL7

참조 용

부품 번호 ADP3410KRU-REEL7
PNEDA 부품 번호 ADP3410KRU-REEL7
설명 IC MOSFET DVR DUAL N-CH 14TSSOP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,146
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ADP3410KRU-REEL7 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ADP3410KRU-REEL7
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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ADP3410KRU-REEL7 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Synchronous
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급4.15V ~ 6V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)-
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)30V
상승 / 하강 시간 (일반)20ns, 20ns
작동 온도0°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지14-TSSOP

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제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

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채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

60V (Max)

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

80V

상승 / 하강 시간 (일반)

90ns, 40ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-MSOP

NCP5355DR2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

26V

상승 / 하강 시간 (일반)

15ns, 15ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

ISL89163FBEBZ-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

1.85V, 3.15V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

6A, 6A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-SOIC-EP

MC33152DG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

6.1V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.6V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

36ns, 32ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IR2121PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

12V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.6A, 3.3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

43ns, 26ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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