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AFGHL50T65SQDC

AFGHL50T65SQDC

참조 용

부품 번호 AFGHL50T65SQDC
PNEDA 부품 번호 AFGHL50T65SQDC
설명 IGBT 650V A
제조업체 ON Semiconductor
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AFGHL50T65SQDC 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AFGHL50T65SQDC
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
AFGHL50T65SQDC, AFGHL50T65SQDC 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 340.22 KB)
PDFAFGHL50T65SQDC 데이터 시트 표지
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AFGHL50T65SQDC 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
IGBT 유형Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)100A
전류-수집기 펄스 (Icm)200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A
전력-최대238W
에너지 전환131µJ (on), 96µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지94nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C17.6ns/94.4ns
테스트 조건400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지TO-247-3

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

전력-최대

375W

에너지 전환

750µJ (on), 550µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

334nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/208ns

테스트 조건

400V, 60A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

74ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 Long Leads

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

22A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 12A

전력-최대

100W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

20.4nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263 (IXGA)

FGD2N40L

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

전류-수집기 (Ic) (최대)

7A

전류-수집기 펄스 (Icm)

29A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 2.4V, 2.5A

전력-최대

29W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

11nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

47ns/650ns

테스트 조건

300V, 2.5A, 51Ohm, 4V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

164A

전류-수집기 펄스 (Icm)

320A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 82A

전력-최대

1040W

에너지 전환

4.95mJ (on), 2.78mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

215nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

29ns/192ns

테스트 조건

600V, 80A, 2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

420ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

PLUS264™

SGH10N60RUFDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 10A

전력-최대

75W

에너지 전환

141µJ (on), 215µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

30nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/36ns

테스트 조건

300V, 10A, 20Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

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