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AFM906NT1

AFM906NT1

참조 용

부품 번호 AFM906NT1
PNEDA 부품 번호 AFM906NT1
설명 WIDEBAND AIRFAST RF POWER LDMOS
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,456
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 17 - 4월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AFM906NT1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AFM906NT1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
AFM906NT1, AFM906NT1 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 849.56 KB)
PDFAFM906NT1 데이터 시트 표지
AFM906NT1 데이터 시트 페이지 2 AFM906NT1 데이터 시트 페이지 3 AFM906NT1 데이터 시트 페이지 4 AFM906NT1 데이터 시트 페이지 5 AFM906NT1 데이터 시트 페이지 6 AFM906NT1 데이터 시트 페이지 7 AFM906NT1 데이터 시트 페이지 8 AFM906NT1 데이터 시트 페이지 9 AFM906NT1 데이터 시트 페이지 10 AFM906NT1 데이터 시트 페이지 11

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AFM906NT1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수136MHz ~ 941MHz
이득-
전압-테스트10.8V
전류 정격 (Amps)2µA
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력6.8W
전압-정격30V
패키지 / 케이스16-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지16-DFN (4x6)

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-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.45GHz

이득

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

140W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

HFET

주파수

12GHz

이득

12.5dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

88mA

소음 수치

0.3dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

14dBm

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

S02

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

220MHz

이득

23.9dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

30mA

전원-출력

10W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

TO-270BA

공급자 장치 패키지

TO-270G-2

PD55008-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz

이득

17dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

4A

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

8W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

10-PowerSO

PTRA093302DCV1R2XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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