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AFT09MP055NR1

AFT09MP055NR1

참조 용

부품 번호 AFT09MP055NR1
PNEDA 부품 번호 AFT09MP055NR1
설명 FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,870
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 5 - 4월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AFT09MP055NR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AFT09MP055NR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
AFT09MP055NR1, AFT09MP055NR1 데이터 시트 (총 페이지: 21, 크기: 959.54 KB)
PDFAFT09MP055GNR1 데이터 시트 표지
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AFT09MP055NR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수870MHz
이득15.7dB
전압-테스트12.5V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트550mA
전원-출력1W
전압-정격40V
패키지 / 케이스TO-270AB
공급자 장치 패키지TO-270 WB-4

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

14.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

100W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-272BB

공급자 장치 패키지

TO-272 WB-4

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.805GHz ~ 1.99GHz

이득

16.6dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

1.4µA

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

190W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT1275-3

공급자 장치 패키지

SOT1275-3

BLF189XRASU

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

500MHz

이득

26.2dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

2.8µA

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

1700W

전압-정격

135V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

PD20015-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2GHz

이득

11dB

전압-테스트

13.6V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

15W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Formed Lead)

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.5GHz ~ 2.7GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

28A

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

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LTC3676HUJ-1#TRPBF

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CY14B256LA-SZ25XIT

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IHLP2525CZER220M5A

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W25Q16JVZPIQ TR

W25Q16JVZPIQ TR

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16SVPF180M

16SVPF180M

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EP5358HUI

EP5358HUI

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CD143A-SR70

CD143A-SR70

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NTJD5121NT1G

NTJD5121NT1G

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