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AFT20P060-4GNR3

AFT20P060-4GNR3

참조 용

부품 번호 AFT20P060-4GNR3
PNEDA 부품 번호 AFT20P060-4GNR3
설명 FET RF 2CH 65V 2.17GHZ OM780-4GW
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,860
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 5 - 1월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AFT20P060-4GNR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AFT20P060-4GNR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
AFT20P060-4GNR3, AFT20P060-4GNR3 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 552.65 KB)
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AFT20P060-4GNR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수2.17GHz
이득18.9dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트450mA
전원-출력6.3W
전압-정격65V
패키지 / 케이스OM-780G-4L
공급자 장치 패키지OM-780G-4L

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NXP USA Inc.

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전류 정격 (Amps)

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소음 수치

-

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500mA

전원-출력

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패키지 / 케이스

TO-272BA

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

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LDMOS

주파수

500MHz

이득

15dB

전압-테스트

7.5V

전류 정격 (Amps)

5A

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

8W

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

PowerFLAT™ (5x5)

PTAC240502FCV1XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

PTF080101M V1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

180mA

전원-출력

10W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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