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AFT26H200W03SR6

AFT26H200W03SR6

참조 용

부품 번호 AFT26H200W03SR6
PNEDA 부품 번호 AFT26H200W03SR6
설명 FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI1230S-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,654
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 6 - 4월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AFT26H200W03SR6 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AFT26H200W03SR6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
AFT26H200W03SR6, AFT26H200W03SR6 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 327.84 KB)
PDFAFT26H200W03SR6 데이터 시트 표지
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AFT26H200W03SR6 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.5GHz
이득14.1dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트500mA
전원-출력45W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-1230-4S
공급자 장치 패키지NI-1230-4S

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-

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이득

20dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

170mA

전원-출력

5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-37248-4

공급자 장치 패키지

H-37248-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

870MHz

이득

15.7dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

550mA

전원-출력

1W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

TO-270BB

공급자 장치 패키지

TO-270 WB-4 Gull

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.14GHz

이득

17.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

970mA

전원-출력

34W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

125mA

전원-출력

10W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-270-2

공급자 장치 패키지

TO-270-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

728MHz ~ 960MHz

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

1.6W

전압-정격

28V

패키지 / 케이스

24-QFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

24-PQFN-EP (8x8)

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