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AFV121KHR5

AFV121KHR5

참조 용

부품 번호 AFV121KHR5
PNEDA 부품 번호 AFV121KHR5
설명 IC TRANS RF LDMOS
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,552
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 13 - 2월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AFV121KHR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AFV121KHR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
AFV121KHR5, AFV121KHR5 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 1,016.94 KB)
PDFAFV121KGSR5 데이터 시트 표지
AFV121KGSR5 데이터 시트 페이지 2 AFV121KGSR5 데이터 시트 페이지 3 AFV121KGSR5 데이터 시트 페이지 4 AFV121KGSR5 데이터 시트 페이지 5 AFV121KGSR5 데이터 시트 페이지 6 AFV121KGSR5 데이터 시트 페이지 7 AFV121KGSR5 데이터 시트 페이지 8 AFV121KGSR5 데이터 시트 페이지 9 AFV121KGSR5 데이터 시트 페이지 10 AFV121KGSR5 데이터 시트 페이지 11

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AFV121KHR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수960MHz ~ 1.22GHz
이득19.6dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력1000W
전압-정격112V
패키지 / 케이스SOT-979A
공급자 장치 패키지NI-1230-4H

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

803MHz

이득

21.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

30W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

NI-780S-4

공급자 장치 패키지

NI-780S-4

NPT2010

M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

0Hz ~ 2.2GHz

이득

15dB

전압-테스트

48V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

95W

전압-정격

48V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.805GHz ~ 1.995GHz

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

38W

전압-정격

28V

패키지 / 케이스

NI-780-2S2L

공급자 장치 패키지

NI-780-2S2L

BF510,215

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

100MHz

이득

-

전압-테스트

10V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1.5dB

현재-테스트

5mA

전원-출력

-

전압-정격

20V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB (SOT23)

BLC10M6XS200Z

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

425MHz ~ 450MHz

이득

19.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

4.2µA

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

200W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1270-1

공급자 장치 패키지

SOT-1270-1

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PIC16LF877A-I/L

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