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ALD1101BPAL

ALD1101BPAL

참조 용

부품 번호 ALD1101BPAL
PNEDA 부품 번호 ALD1101BPAL
설명 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
제조업체 Advanced Linear Devices Inc.
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 9 - 2월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ALD1101BPAL 리소스

브랜드 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ALD1101BPAL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ALD1101BPAL, ALD1101BPAL 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 76.75 KB)
PDFALD1101APAL 데이터 시트 표지
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ALD1101BPAL 사양

제조업체Advanced Linear Devices Inc.
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs75Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대500mW
작동 온도0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지8-PDIP

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A, 30A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.7V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1680pF @ 13V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

750mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

400mOhm @ 750mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.44nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

120pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88 (SC-70-6)

SH8K4TB1

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Rohm Semiconductor

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-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1190pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

BSO207PHXUMA1

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Infineon Technologies

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 5.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 44µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1650pF @ 15V

전력-최대

1.6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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전력-최대

2W

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