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ALD1102APAL

ALD1102APAL

참조 용

부품 번호 ALD1102APAL
PNEDA 부품 번호 ALD1102APAL
설명 MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
제조업체 Advanced Linear Devices Inc.
단가 견적 요청
재고 있음 8,262
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ALD1102APAL 리소스

브랜드 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ALD1102APAL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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ALD1102APAL 사양

제조업체Advanced Linear Devices Inc.
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs270Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.2V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대500mW
작동 온도0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지8-PDIP

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

148A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 80A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

544nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10200pF @ 1000V

전력-최대

937W

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

NTQD6968NR2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

630pF @ 16V

전력-최대

1.39W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

PMGD290XN,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

860mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

350mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.72nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

34pF @ 20V

전력-최대

410mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

6-TSSOP

LN60A01ES-LF-Z

Monolithic Power Systems Inc.

제조업체

Monolithic Power Systems Inc.

시리즈

-

FET 유형

3 N-Channel, Common Gate

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190Ohm @ 10mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

-20°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

AON7820

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2065pF @ 10V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN (3x3)

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