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ALD1105PBL

ALD1105PBL

참조 용

부품 번호 ALD1105PBL
PNEDA 부품 번호 ALD1105PBL
설명 MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
제조업체 Advanced Linear Devices Inc.
단가 견적 요청
재고 있음 16,584
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ALD1105PBL 리소스

브랜드 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ALD1105PBL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ALD1105PBL, ALD1105PBL 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 96.83 KB)
PDFALD1105SBL 데이터 시트 표지
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ALD1105PBL 사양

제조업체Advanced Linear Devices Inc.
시리즈-
FET 유형2 N and 2 P-Channel Matched Pair
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs500Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3pF @ 5V
전력-최대500mW
작동 온도0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스14-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지14-PDIP

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Vishay Siliconix

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.7A, 3.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

43mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

830mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Logic Level Gate, 4.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A, 30A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1600pF @ 12V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

PG-TISON-8

SI8901EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 350µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-MICRO FOOT®CSP

공급자 장치 패키지

6-Micro Foot™ (2.36x1.56)

QJD1210SB1

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12pF @ 3V

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