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ALD1105SBL

ALD1105SBL

참조 용

부품 번호 ALD1105SBL
PNEDA 부품 번호 ALD1105SBL
설명 MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
제조업체 Advanced Linear Devices Inc.
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재고 있음 7,572
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ALD1105SBL 리소스

브랜드 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ALD1105SBL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ALD1105SBL, ALD1105SBL 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 96.83 KB)
PDFALD1105SBL 데이터 시트 표지
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ALD1105SBL 사양

제조업체Advanced Linear Devices Inc.
시리즈-
FET 유형2 N and 2 P-Channel Matched Pair
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs500Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3pF @ 5V
전력-최대500mW
작동 온도0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지14-SOIC

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Vishay Siliconix

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Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A, 15.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1535pF @ 15V

전력-최대

1.98W, 4.16W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

NVMFD5C470NWFT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11.7A (Ta), 36A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

420pF @ 25V

전력-최대

3.1W (Ta), 28W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

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2N7002PS,125

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

320mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 10V

전력-최대

420mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

6-TSSOP

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

PowerPAIR®, TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A, 40A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 15.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

760pF @ 15V

전력-최대

16.7W, 31W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38.1nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1850pF @ 20V

전력-최대

48W

작동 온도

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장착 유형

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