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ALD1107PBL

ALD1107PBL

참조 용

부품 번호 ALD1107PBL
PNEDA 부품 번호 ALD1107PBL
설명 MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
제조업체 Advanced Linear Devices Inc.
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ALD1107PBL 리소스

브랜드 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ALD1107PBL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ALD1107PBL, ALD1107PBL 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 121.7 KB)
PDFALD1117SAL 데이터 시트 표지
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ALD1107PBL 사양

제조업체Advanced Linear Devices Inc.
시리즈-
FET 유형4 P-Channel, Matched Pair
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs1800Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3pF @ 5V
전력-최대500mW
작동 온도0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스14-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지14-PDIP

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 12.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

NTZD3158PT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

430mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

900mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

175pF @ 16V

전력-최대

250mW

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Infineon Technologies

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1310pF @ 15V

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1755pF @ 25V

전력-최대

60W

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 20A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.1V @ 50mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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