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ALD1117SAL

ALD1117SAL

참조 용

부품 번호 ALD1117SAL
PNEDA 부품 번호 ALD1117SAL
설명 MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
제조업체 Advanced Linear Devices Inc.
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재고 있음 5,940
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ALD1117SAL 리소스

브랜드 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ALD1117SAL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ALD1117SAL, ALD1117SAL 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 121.7 KB)
PDFALD1117SAL 데이터 시트 표지
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  • ALD1117SAL Distributor

ALD1117SAL 사양

제조업체Advanced Linear Devices Inc.
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs1800Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3pF @ 5V
전력-최대500mW
작동 온도0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A, 13.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

910pF @ 15V

전력-최대

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작동 온도

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16.3mOhm @ 8A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 9.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

57nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3450pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

15.8mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

31nC @ 10V

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