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AO4404BL_101

AO4404BL_101

참조 용

부품 번호 AO4404BL_101
PNEDA 부품 번호 AO4404BL_101
설명 MOSFET N-CH 8-SOIC
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AO4404BL_101 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AO4404BL_101
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AO4404BL_101, AO4404BL_101 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 561.17 KB)
PDFAO4404BL_101 데이터 시트 표지
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  • AO4404BL_101 Distributor

AO4404BL_101 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs24mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.45V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs7nC @ 4.5V
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds630pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3.1W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-SO
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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제조업체

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

54A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1060pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 71W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

26A (Ta), 85A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3440pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.6W (Ta), 42W (Tc)

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DIRECTFET™ MT

패키지 / 케이스

DirectFET™ Isometric MT

IRFR3711ZCTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

93A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.45V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2160pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

79W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FDN357N

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.9A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.9nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

235pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SuperSOT-3

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제조업체

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

28A (Ta), 60A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2825pF @ 13V

FET 기능

Schottky Diode (Body)

전력 손실 (최대)

3.3W (Ta), 59W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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