AO4492
참조 용
| 부품 번호 | AO4492 |
| PNEDA 부품 번호 | AO4492 |
| 설명 | MOSFET N CH 30V 14A 8SOIC |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 22,200 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AO4492 리소스
| 브랜드 | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | AO4492 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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AO4492 사양
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 14A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 770pF @ 15V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 3.1W (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SOIC |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microchip Technology 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 330mA (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 50pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-92-3 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 43mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6.9nC @ 4.5V Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 660pF @ 6V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.5W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SC-88FL/MCPH6 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 31A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 77mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 72nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1700pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 180W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247-3 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 36A (Ta), 163A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 62nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4400pF @ 12V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.8W (Ta), 57W (Tc) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 MG-WDSON-2, CanPAK M™ 패키지 / 케이스 3-WDSON |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/542 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 490mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 39nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) 4W (Ta), 75W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-204AA (TO-3) 패키지 / 케이스 TO-204AA, TO-3 |
