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AO4616L

AO4616L

참조 용

부품 번호 AO4616L
PNEDA 부품 번호 AO4616L
설명 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,750
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AO4616L 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AO4616L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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AO4616L 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8.1A (Ta), 7.1A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs20mOhm @ 8.1A, 10V, 25mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA, 2.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs19.2nC @ 10V, 30.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1250pF @ 15V, 1573pF @ 15V
전력-최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

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시리즈

POWER MOS V®

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

139A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

350nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9875pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

BSL215CL6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

140mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 3.7µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.73nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

143pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

PG-TSOP-6-6

FDMS3620S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17.5A, 38A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1570pF @ 13V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

Power56

TSM680P06DPQ56 RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

68mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

870pF @ 30V

전력-최대

3.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

125mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.35nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

18.5pF @ 5V

전력-최대

200mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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