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AO4629

AO4629

참조 용

부품 번호 AO4629
PNEDA 부품 번호 AO4629
설명 MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 73,056
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AO4629 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AO4629
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
AO4629, AO4629 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 849.47 KB)
PDFAO4629 데이터 시트 표지
AO4629 데이터 시트 페이지 2 AO4629 데이터 시트 페이지 3 AO4629 데이터 시트 페이지 4 AO4629 데이터 시트 페이지 5 AO4629 데이터 시트 페이지 6 AO4629 데이터 시트 페이지 7 AO4629 데이터 시트 페이지 8 AO4629 데이터 시트 페이지 9

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AO4629 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형N and P-Channel, Common Drain
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6A, 5.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs30mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs6.3nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds310pF @ 15V
전력-최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 1.8V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

67mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

486pF @ 10V

전력-최대

2.3W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10.4Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.43nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7.5pF @ 10V

전력-최대

800mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

6-MCPH

DMN4031SSDQ-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

31mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

945pF @ 20V

전력-최대

1.42W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SI1900DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

630mA (Ta), 590mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

480mOhm @ 590mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

300mW, 270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-70-6

SIA906EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

46mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 10V

전력-최대

7.8W

작동 온도

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