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AO4924

AO4924

참조 용

부품 번호 AO4924
PNEDA 부품 번호 AO4924
설명 MOSFET 2N-CH 30V 9A/7.3A 8SOIC
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,274
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AO4924 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AO4924
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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AO4924 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈SRFET™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs15.8mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs31nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1885pF @ 15V
전력-최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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Infineon Technologies

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

310pF @ 10V

전력-최대

1.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Toshiba Semiconductor and Storage

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 1.2V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

250mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

42pF @ 10V

전력-최대

150mW (Ta)

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

ES6

MCH6606-TL-EX

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

SIZ322DT-T1-GE3

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.35mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20.1nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

950pF @ 12.5V

전력-최대

16.7W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

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Microsemi

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FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

39A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 2.7mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

259nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7000pF @ 25V

전력-최대

250W

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