AO4924L
참조 용
| 부품 번호 | AO4924L |
| PNEDA 부품 번호 | AO4924L |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 9A/7.3A 8SOIC |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,832 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AO4924L 리소스
| 브랜드 | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | AO4924L |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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AO4924L 사양
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 시리즈 | SRFET™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 15.8mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1885pF @ 15V |
| 전력-최대 | 2W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SO |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 89A Rds On (최대) @ Id, Vgs 24mOhm @ 44.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 112nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6850pF @ 25V 전력-최대 357W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP4 공급자 장치 패키지 SP4 |
제조업체 시리즈 NexFET™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Source FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1020pF @ 15V 전력-최대 15.6W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 8-VSON (3.3x3.3) |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 18.5A (Ta), 49A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 5.3mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V, 52nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 820pF @ 15V, 2555pF @ 15V 전력-최대 3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 45W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerSMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 170mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 160pF @ 25V 전력-최대 1.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-VQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-PQFN (2x2) |
