AO6602_DELTA
참조 용
| 부품 번호 | AO6602_DELTA |
| PNEDA 부품 번호 | AO6602_DELTA |
| 설명 | MOSFET N-CH 6TSOP |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,794 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AO6602_DELTA 리소스
| 브랜드 | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | AO6602_DELTA |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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AO6602_DELTA 사양
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N and P-Channel Complementary |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.5A (Ta), 2.7A (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 3.5A, 10V, 100mOhm @ 2.7A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 5nC @ 10V, 5.2nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 210pF @ 15V, 240pF @ 15V |
| 전력-최대 | 1.15W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SC-74, SOT-457 |
| 공급자 장치 패키지 | 6-TSOP |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 950mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 350mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 1.6µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.32nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 63pF @ 10V 전력-최대 500mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 PG-SOT363-6 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11.7A, 14.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1252pF @ 15V 전력-최대 1.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) |
제조업체 시리즈 NexFET™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs 6mOhm @ 12A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 8.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1260pF @ 15V 전력-최대 6W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-VSON (3.3x3.3) |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 43mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12.5nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 470pF @ 10V 전력-최대 7.8W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® SC-70-6 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SC-70-6 Dual |
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