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AO7414_001

AO7414_001

참조 용

부품 번호 AO7414_001
PNEDA 부품 번호 AO7414_001
설명 MOSFET N-CH 20V 2A SC70-3
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
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AO7414_001 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AO7414_001
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AO7414_001, AO7414_001 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 199.4 KB)
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AO7414_001 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs62mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs3.8nC @ 4.5V
Vgs (최대)±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds320pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)350mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SC-70-3
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

59A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.5nC @ 5V

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1614pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

75W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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제조업체

STMicroelectronics

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

530mOhm @ 4.25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

644pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

70W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 66A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3450pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

170W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-262

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

GP2M020A050N

Global Power Technologies Group

제조업체

Global Power Technologies Group

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2880pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

312W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 390µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1500pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

92W (Tc)

작동 온도

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