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AO8822

AO8822

참조 용

부품 번호 AO8822
PNEDA 부품 번호 AO8822
설명 MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,178
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 24 - 3월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AO8822 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AO8822
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
AO8822, AO8822 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 197.29 KB)
PDFAO8822 데이터 시트 표지
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AO8822 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs18mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs18nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds780pF @ 10V
전력-최대1.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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Infineon Technologies

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 30µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

50nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3980pF @ 25V

전력-최대

65W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

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DF23MR12W1M1B11BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 25A, 15V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 10mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

620nC @ 15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2000pF @ 800V

전력-최대

20mW

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15.7A (Ta), 100A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

650pF @ 15V

전력-최대

3.6W, 4.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

8-Power33 (3x3)

SI4933DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14mOhm @ 9.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 500µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

70nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

75nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

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작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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