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AOB414

AOB414

참조 용

부품 번호 AOB414
PNEDA 부품 번호 AOB414
설명 MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
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재고 있음 2,574
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예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AOB414 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AOB414
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AOB414, AOB414 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 350.41 KB)
PDFAOB414_001 데이터 시트 표지
AOB414_001 데이터 시트 페이지 2 AOB414_001 데이터 시트 페이지 3 AOB414_001 데이터 시트 페이지 4 AOB414_001 데이터 시트 페이지 5 AOB414_001 데이터 시트 페이지 6 AOB414_001 데이터 시트 페이지 7

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AOB414 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈SDMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6.6A (Ta), 51A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)7V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs25mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs34nC @ 10V
Vgs (최대)±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2200pF @ 50V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.5W (Ta), 150W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-263 (D²Pak)
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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제조업체

Infineon Technologies

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

700V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

450mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 120µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13.1nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

424pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

7.1W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-SOT223

패키지 / 케이스

TO-261-3

AO4482

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

37mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.7V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2000pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SOIC

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IXFC36N50P

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™, PolarHT™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

93nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

156W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

ISOPLUS220™

패키지 / 케이스

ISOPLUS220™

MTM761110LBF

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

700mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.7V @ 400µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

570pF @ 300V

FET 기능

Super Junction

전력 손실 (최대)

80W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

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