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AOD4126

AOD4126

참조 용

부품 번호 AOD4126
PNEDA 부품 번호 AOD4126
설명 MOSFET N-CH 100V 43A TO252
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 130,692
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 20 - 12월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AOD4126 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AOD4126
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AOD4126, AOD4126 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 457.08 KB)
PDFAOD4126 데이터 시트 표지
AOD4126 데이터 시트 페이지 2 AOD4126 데이터 시트 페이지 3 AOD4126 데이터 시트 페이지 4 AOD4126 데이터 시트 페이지 5 AOD4126 데이터 시트 페이지 6 AOD4126 데이터 시트 페이지 7

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AOD4126 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈SDMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7.5A (Ta), 43A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)7V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs24mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs34nC @ 10V
Vgs (최대)±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2200pF @ 50V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3W (Ta), 100W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

12V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

350mOhm @ 6.5A, 12V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 12V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

72nC @ 5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11380pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

263W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

330mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.9Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

28.7pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

400mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

3-DFN0806H4

패키지 / 케이스

3-XFDFN

PMPB55XNEAX

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

72mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.25V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

255pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

550mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Surface Mount

공급자 장치 패키지

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Ta), 170A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.35V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

65nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5640pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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