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AOD4136L

AOD4136L

참조 용

부품 번호 AOD4136L
PNEDA 부품 번호 AOD4136L
설명 MOSFET N-CH TO252
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,508
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 9월 25 - 9월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AOD4136L 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AOD4136L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AOD4136L, AOD4136L 데이터 시트 (총 페이지: 1, 크기: 54.12 KB)
PDFAOD4136L 데이터 시트 표지

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AOD4136L 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈SDMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs11mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs16.8nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds734pF @ 12.5V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.1W (Ta), 30W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-252-3
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.8A (Ta), 20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1655pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta), 35.7W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

498pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.75W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TSOT-26

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

TSM3N80CZ C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.2Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

696pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

94W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220

패키지 / 케이스

TO-220-3

CMUDM7001 TR

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.57nC @ 4.5V

Vgs (최대)

10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9pF @ 3V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

250mW (Ta)

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

44A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1211pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

55W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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