AOE6936
참조 용
| 부품 번호 | AOE6936 |
| PNEDA 부품 번호 | AOE6936 |
| 설명 | MOSFET 2 N-CH 30V 55A/85A 8DFN |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,670 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 5 - 4월 10 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AOE6936 리소스
| 브랜드 | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | AOE6936 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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AOE6936 사양
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 55A (Tc), 85A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 15nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1150pF @ 15V, 2270pF @ 15V |
| 전력-최대 | 24W, 39W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-VDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 8-DFN (5x6) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V, 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 170mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 100mA, 10V, 7.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.43nC @ 4.5V, 0.35nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 17pF @ 10V, 36pF @ 25V 전력-최대 330mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 6-TSSOP |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 28A Rds On (최대) @ Id, Vgs 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 180nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4507pF @ 25V 전력-최대 277W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP1 공급자 장치 패키지 SP1 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs 276mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 165nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5316pF @ 25V 전력-최대 208W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP1 공급자 장치 패키지 SP1 |
제조업체 Monolithic Power Systems Inc. 시리즈 - FET 유형 3 N-Channel, Common Gate FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 190Ohm @ 10mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.3W 작동 온도 -20°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-PDIP |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 LITTLE FOOT® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 190V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 950mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 90pF @ 100V 전력-최대 7W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® SC-70-6 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SC-70-6 Dual |
