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AON2403

AON2403

참조 용

부품 번호 AON2403
PNEDA 부품 번호 AON2403
설명 MOSFET P-CH 12V 8A DFN2X2B
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
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AON2403 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AON2403
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AON2403, AON2403 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 221.54 KB)
PDFAON2403 데이터 시트 표지
AON2403 데이터 시트 페이지 2 AON2403 데이터 시트 페이지 3 AON2403 데이터 시트 페이지 4 AON2403 데이터 시트 페이지 5

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AON2403 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs21mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs18nC @ 4.5V
Vgs (최대)±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1370pF @ 6V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.8W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지6-DFN-EP (2x2)
패키지 / 케이스6-UDFN Exposed Pad

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드레인-소스 전압 (Vdss)

450V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.8Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

340pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

30W (Tc)

작동 온도

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

32A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2086pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

45W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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PowerPAK® SO-8

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IXYS

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

49nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2650pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

176W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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Vishay Siliconix

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TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.05Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

666pF @ 50V

FET 기능

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전력 손실 (최대)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

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장착 유형

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Vgs (최대)

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

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