AON2812
참조 용
| 부품 번호 | AON2812 |
| PNEDA 부품 번호 | AON2812 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 4.5A |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,556 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 5월 1 - 5월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AON2812 리소스
| 브랜드 | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | AON2812 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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AON2812 사양
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 시리즈 | AlphaMOS |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.5A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 235pF @ 15V |
| 전력-최대 | 2.5W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-UDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 6-DFN-EP (2x2) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 27nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 2.5W 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지 6-CSP (1.77x3.54) |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 485mA, 370mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 700mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 250mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SC-89-6 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 22A Rds On (최대) @ Id, Vgs 420mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 186nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5200pF @ 25V 전력-최대 390W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP6 공급자 장치 패키지 SP6-P |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel Complementary FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.6A (Ta), 3.2A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 369pF @ 10V, 440pF @ 10V 전력-최대 700mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 TSOT-26 |
제조업체 Powerex Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A Rds On (최대) @ Id, Vgs 17mOhm @ 100A, 15V Vgs (th) (최대) @ Id 1.6V @ 34mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 330nC @ 15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8200pF @ 10V 전력-최대 520W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 Module |
