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AON5802B_101

AON5802B_101

참조 용

부품 번호 AON5802B_101
PNEDA 부품 번호 AON5802B_101
설명 MOSFET N-CH DUAL DFN
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,814
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AON5802B_101 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AON5802B_101
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
AON5802B_101, AON5802B_101 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 269.12 KB)
PDFAON5802B_101 데이터 시트 표지
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  • AON5802B_101 Distributor

AON5802B_101 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈*
FET 유형-
FET 기능-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
공급자 장치 패키지6-DFN-EP (2x5)

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A (Ta), 15A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC, 25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF, 1250pF @ 15V

전력-최대

3W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-HSOP

UPA2384T1P-E1-A

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.7W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-XFLGA

공급자 장치 패키지

4-Picostar (1.31x1.31)

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

110A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

115nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

24-SMD

FDG1024NZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

175mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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