AON6546
참조 용
| 부품 번호 | AON6546 |
| PNEDA 부품 번호 | AON6546 |
| 설명 | MOSFET N-CH |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,274 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 10 - 1월 15 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AON6546 리소스
| 브랜드 | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | AON6546 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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AON6546 사양
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 22A (Ta), 55A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1210pF @ 15V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 5.5W (Ta), 35.5W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 8-DFN (5x6) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerSMD, Flat Leads |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 25A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 8µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 16.3nC @ 10V Vgs (최대) ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1220pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 29W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-TO252-3-11 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 440mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) 450mW (Ta) 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 3-DFN1006 (1.0x0.6) 패키지 / 케이스 3-UFDFN |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 aMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 520mA (Ta), 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 360mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15.6nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 717pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 8.3W (Ta), 208W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 4-DFN-EP (8x8) 패키지 / 케이스 4-PowerTSFN |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 450mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 41nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 770pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.1W (Ta), 74W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 68.6nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3426pF @ 20V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerDI3333-8 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN |
