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AON6756

AON6756

참조 용

부품 번호 AON6756
PNEDA 부품 번호 AON6756
설명 MOSFET N-CH 30V 47A DFN5X6
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,668
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AON6756 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AON6756
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AON6756, AON6756 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 340.21 KB)
PDFAON6756_101 데이터 시트 표지
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AON6756 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈AlphaMOS
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)47A (Ta), 36A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs64nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2796pF @ 15V
FET 기능Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대)7.3W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스8-PowerSMD, Flat Leads

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

380mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 320µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

700pF @ 100V

FET 기능

Super Junction

전력 손실 (최대)

31W (Tc)

작동 온도

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1Ohm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1430pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.13W (Ta), 142W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

RQ7E055ATTCR

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Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24.5mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18.8nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

860pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TSMT8

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

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-

전력 손실 (최대)

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4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.2nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1350pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.25W (Ta)

작동 온도

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