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AON6992

AON6992

참조 용

부품 번호 AON6992
PNEDA 부품 번호 AON6992
설명 MOSFET 2N-CH 30V 19A/31A
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 27,762
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AON6992 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AON6992
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
AON6992, AON6992 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 353.36 KB)
PDFAON6992 데이터 시트 표지
AON6992 데이터 시트 페이지 2 AON6992 데이터 시트 페이지 3 AON6992 데이터 시트 페이지 4 AON6992 데이터 시트 페이지 5 AON6992 데이터 시트 페이지 6 AON6992 데이터 시트 페이지 7 AON6992 데이터 시트 페이지 8 AON6992 데이터 시트 페이지 9 AON6992 데이터 시트 페이지 10

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AON6992 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)19A, 31A
Rds On (최대) @ Id, Vgs5.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs13nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds820pF @ 15V
전력-최대3.1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지8-DFN-EP (5x6)

관심을 가질만한 제품

PMDPB70XPE,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

79mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.25V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

600pF @ 10V

전력-최대

515mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-HUSON-EP (2x2)

VMM45-02F

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

45A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

225nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7500pF @ 25V

전력-최대

190W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

TO-240AA

공급자 장치 패키지

TO-240AA

FDS6984AS

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®, SyncFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A, 8.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

31mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

420pF @ 15V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

APTC60TAM21SCTPAG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

116A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 88A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.6V @ 6mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

580nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13000pF @ 100V

전력-최대

625W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

SP6-P

FDY4001CZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA, 150mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

60pF @ 10V

전력-최대

446mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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