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AON7934

AON7934

참조 용

부품 번호 AON7934
PNEDA 부품 번호 AON7934
설명 MOSFET 2N-CH 30V 13A/15A 8DFN
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,034
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 5 - 4월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AON7934 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AON7934
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
AON7934, AON7934 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 546.75 KB)
PDFAON7934 데이터 시트 표지
AON7934 데이터 시트 페이지 2 AON7934 데이터 시트 페이지 3 AON7934 데이터 시트 페이지 4 AON7934 데이터 시트 페이지 5 AON7934 데이터 시트 페이지 6 AON7934 데이터 시트 페이지 7 AON7934 데이터 시트 페이지 8 AON7934 데이터 시트 페이지 9 AON7934 데이터 시트 페이지 10

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AON7934 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)13A, 15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs10.2mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs11nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds485pF @ 15V
전력-최대2.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-DFN-EP (3x3)

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel, Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.4A, 6.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

751pF @ 10V

전력-최대

2.7W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

공급자 장치 패키지

TO-252-4L

IRF7317PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.6A, 5.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

NX138BKSF

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

330mA (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

20pF @ 30V

전력-최대

860mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

SIA777EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V, 12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A, 4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

225mOhm @ 1.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.2nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

5W, 7.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SC-70-6 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SC-70-6 Dual

ZXMN6A11DN8TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

330pF @ 40V

전력-최대

1.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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